回路數(shù)：2回路。
測(cè)定值輸入：電壓輸入/電流輸入（4～20mA、 1～5V、 0～5V、 0～10V）。
控制輸出：電流輸出（線性）。
在的輸入范圍4-20mA或1-5mV內(nèi)可進(jìn)行兩路PID控制，
并可進(jìn)行晶體管、電壓或電流的輸出控制歐姆龍C200HW-ME16K。
梯形圖可控制內(nèi)存中設(shè)定單元的分配字，
來(lái)進(jìn)行開(kāi)/停操作，設(shè)定目標(biāo)值，讀取過(guò)程值或進(jìn)行其他操作C200HW-ME16K
支持兩個(gè)回路的PID（兩點(diǎn)自由設(shè)定）控制或開(kāi)關(guān)控制。
直接輸入模擬量信號(hào)。
集電極開(kāi)路，電壓、電流輸出。
采樣周期：100ms。
運(yùn)行/開(kāi)始控制。
支持手動(dòng)輸出。
每個(gè)回路可設(shè)定兩個(gè)報(bào)警器歐姆龍C200HW-ME16K。
可記錄設(shè)定值、報(bào)警值和PID參數(shù)等8個(gè)值。
可設(shè)置數(shù)字濾波器以消除輸入的快速改變。
連接數(shù)據(jù)設(shè)定器。UM：3K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)歐姆龍C200HW-ME16K。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。只能用在SYS-MAC-CPT上。
程序容量：63.2K字。
RS-232端口：有。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字歐姆龍EEPROM內(nèi)存卡。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字×3（48K字）。
處理時(shí)間(基本指令)：0.1μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：1184點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：3臺(tái)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：8臺(tái)(2單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)歐姆龍EEPROM內(nèi)存卡。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶(hù)的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等歐姆龍EEPROM內(nèi)存卡。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。機(jī)架安裝。
適用于C200H,C200HS,C200HE,C200HG,C200HX。
RS-422接口。
在上位機(jī)鏈接單元上，可以執(zhí)行：
監(jiān)視或改變PPC的運(yùn)行條件C200HW-ME16K。
讀寫(xiě)IR區(qū)域。
提取或裝入程序。
一個(gè)CPU或擴(kuò)展II/O單元上可以連接2個(gè)上位機(jī)鏈接單元，可使用RS-232C，RS-422和塑料護(hù)套光纖光纜歐姆龍C200HW-ME16K。
上位機(jī)鏈接單元可以連接可編程終端。
運(yùn)用C200HX/HG/HE的傳輸指令（TXD）通過(guò)PC啟動(dòng)來(lái)傳輸數(shù)據(jù)。